Metoda sinowanio reakcyje SiC była po roz piyrszy z sukcesym podszukowano w Stanach Zjednoczōnych. Proces ryakcyje reakcyje je nastympujōnco: po roz piyrszy proszek SiC i proszek grafitu i grafitu sōm zmiyszane proporcjōnalnie, a porowy zielōny ciało je wytworzane bez sucho naciśniyńcie, ekstruzyjo abo skrōntowanie{{1} Kej skontaktuje sie ze ciekłym Si w wysokij tymperaturze, C w zielōnym ciele reaguje ze infiltrowanymi Si do SiC, a z 4 SiC je połōnczōny, a nadbytek Si je wypołniōny w porze, a tym samym zdobycie niypoważnego i gynstyj ryakcyje nazziyrnego ryakcyje strumiyń reakcyje kliynta{2} Rozwiōnzowanie sintermijōnych SiC zwykle zawiyro 8% bezpłatne Si{{4} bp. Bez to, coby zapewnić kōmpletno infiltracyjo Si, prōzne winno mieć stykajōnco porozita. Ôgōlnie, bez regulowanie zaczōntkowego miszōngu bp. Dystrybucyjo srogości tajleczek SiC, kształtu i srogości tajleczek C, jak tyż ciśniynie pleśni mogōm być używane do uzyskanio ôdpednij tyngości zielōnyj.
Eksperymynta pokozujōm, iże cyramika SiC z bez ciśniyniym sinstingu, gorkim naciskaniym, gorkim izostatycznym sprzeczyniym i izonum naciskaniym i reakcyje reakcyje majōm rozmajte karakterystyki wydajności. Jeźli gorko ściskanie gorkij presy i gorke izostatyczne naciskanie sinteringu sin-sining-sinteringu sōm doś wysoke pod wzglyndym tyngości sin-interingu i wytrzymałości na miyszanie, Sintering SiC je doś nisko. Z drugij strōny, włosności mechaniczne ceramika SiC sōm tyż rōżne z roztōmajtymi addytywami sinteringowymi. Presseush sintering, gorke naciskanie i reakcyjo Sinteringowo ceramika SiC mo dobro ôdporność na siylne kwasy i alkalis, ale reaction Sinteringowy ceramika SiC mo słabo ôdporność na ultra siylne kwasy, take jak HF{{3} Kej tymperatura je niższo aniżeli 900 stopni, siyła bezma wszyskich Ceramika SiC je poprawiōno; Kej tymperatura przekroczo 1400 stopni , siyła zygniyńcio ryakcyje na ryakcyjo wzbudzała ceramika SiC, zmyńszo sie ôstro . (to bez to, iże szalōny korpus zawiyro pewno wielość wolnego Si, a siyła zygniyńcio ôstro ôpadnie, kej przekroczo pewno tymperatura.) dlo ceramika SiC sintermijowanych bez ciśniynie bez ciśniynio i gorkim naciskaniym izostatycznym, ôpōr na wysokij. tykniynty ôd zorty addytywōw
